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化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用|埃登威自動化系統(tǒng)設(shè)備（上海）有限公司

化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用

化學氣相沉積(CVD)是生產(chǎn)高質(zhì)量固體薄膜和涂層的有力技術(shù)。雖然在現(xiàn)代工業(yè)中已經(jīng)廣泛使用，但由于適應了新材料，所以還在發(fā)展。如今，通過**制造2D材料的無機膜和可以共形沉積在各種基底上的高純度聚合物膜，CVD合成技術(shù)被推向了一個新的高度。


原理:將兩種或兩種以上的氣態(tài)原料引入一個反應室，然后它們相互反應形成一種新的材料，沉積在基底表面。反應物主要是金屬氯化物，它首先被加熱到一定溫度以達到足夠高的蒸汽壓，然后與載氣(通常是Ar或H2)一起被送入反應器。如果某種金屬不能形成高壓氯化物蒸汽，就會被有機金屬化合物取代。在反應器中，涂層材料或者用金屬絲懸掛，放置在平面上，或者沉入粉末流化床中，或者本身就是流化床中的顆粒。當發(fā)生在化學反應器中時，產(chǎn)物會沉積在涂層材料表面，廢氣多為HCl或HF，導致堿吸收或冷阱。除了需要獲得的固體沉積物，化學反應的產(chǎn)物必須是氣體沉積物，它們的飽和蒸汽壓要足夠低，以使它們在整個反應和沉積過程中保持在加熱的基底上。反應過程:1。反應氣體擴散到襯底表面；2.反應氣體被吸附在襯底表面；3.表面發(fā)生化學反應、表面運動、成核和薄膜生長；4.產(chǎn)品從表面解吸；5.產(chǎn)品在表面擴散。選擇的化學反應通常應滿足以下要求:①反應物質(zhì)在室溫或不太高的溫度下應為氣態(tài)，或具有高蒸汽壓和高純度；②通過沉積反應可以形成所需的材料沉積層；③反應在沉積溫度下容易控制，反應物必須有足夠高的蒸氣壓。
化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用

因為CVD中使用的原料大多是特殊氣體，比較危險，所以需要對這些氣體使用特殊的氣體系統(tǒng)。沉積的氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子。它是由硅烷和氮氣反應形成的，而硅烷(SiH4)是一種劇毒的特殊氣體，在室溫下可以點燃，在空氣或鹵素氣體中會發(fā)生爆炸燃燒。因此，需要使用專用的氣柜來保證硅烷的**使用。

化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后往往需要監(jiān)控微量氧和微量水含量，這時候可以使用ADEV的在線微量氧分析儀和微量水分析儀，

ADVE在線微量氧分析儀G1501技術(shù)特點：

■快速響應和恢復時間
■**、直接且易于使用的用戶界面
■前面板傳感器入口
■校準氣體的能力
■緊湊簡單的外形化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用
■改進的溫度指數(shù)
■不受流量變化的影響。
■不需要零點氣體和輔助氣體。
■不受碳氫化合物和其他氧化氣體的影響。
■ RFI保護
■免維護。
■節(jié)約成本
■液晶數(shù)字顯示器
■ RS232雙向通信
ADVE在線微量氧分析儀G1501技術(shù)參數(shù)
測試范圍范圍：0-10ppm、0-100ppm和0-1000ppm，0-1%，0-25%的范圍。
空氣校準范圍:0-25%
可選范圍:0-1ppm
*小分辨率范圍的0.5%或50ppb化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用
恒溫下重復精度為滿量程的1%(對于小于10ppm的范圍，重復精度為滿量程的3%)
工作溫度32華氏度-113華氏度(0 -45攝氏度)
日溫度指數(shù)為32 ℉ -113 ℉ (0 -45℃)，小于測量范圍的3°。
90%響應時間100ppm-25%小于10秒
警報(標準)2個觸點，氧氣濃度完全可調(diào)
c形繼電器觸點3A，100伏
故障固態(tài)繼電器觸點3A，100伏
雙路輸出信號0-1VDC和隔離4-20mA
100/117/230伏交流電10% 50/60赫茲電源


ADEV在線微量水分析儀技術(shù)參數(shù)：

0-10/100/1000ppm/1%

4-20mA模擬輸出

220V或24V可選

氧化鋁工作原理


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